- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
The use of SiC semiconductor materials presents a leap forward in technology for MOSFET devices, and ROHM is leading the way. SiC MOSFETs are fast, high voltage, and high …
به خواندن ادامه دهید
1 MicrosemiのSiCMOSFET MSC040SMA120Bのまとめ 3 1.2 SiC MOSFETチップ 5 1.3 チップ 6 1.4 デバイス: SiC MOSFET 7 トランジスタのな 7 チップとなレイアウトパターン 8 2 SiC MOSFET 9 2.1 （SEM） 9 ...
به خواندن ادامه دهید
تصویر ماسفت mosfet. ماسفت یک قطعه الکترونیکی است که به عنوان یک سوئیچ کنترل شده الکتریکی عمل می کند.. ماسفت (MOSFET) مخفف (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) به معنای ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی است.
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET and SiC Schottky Barrier Diode products increase your system efficiency over silicon MOSFET and IGBT solutions while lowering your total cost of ownership by …
به خواندن ادامه دهید
انبارداری عبارت است از دریافت کالا و اقلام از قسمت‌های مختلف شرکت یا دیگران از خارج شرکت و نگهداری آن‌ها با توجه به قوانین و اصول انبار داری. فرایند انبارداری باعث سهولت در تحویل دادن (صدور ...
به خواندن ادامه دهید
Trench-Gate SiC MOSFETs by Localized High-Concentration N-Type Ion Implantation, Mater. Sci. Forum 1004, 770-775 (2020) (4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al.: Investigation of threshold voltage
به خواندن ادامه دهید
پشتیبانی از بازو و شانه. این تکنولوژی پوشیدنی از کارگرانی که ابزار و مواد سنگین را از بالای کمر برمی‌دارند، پشتیبانی می‌کند. ربات‌های پوشاننده بازو برای کارهایی مانند حفاری، برش و سنگ زنی ...
به خواندن ادامه دهید
for customers using Microsemi SiC MOSFETs. The reference design also supports the transition to Microsemi's next-generation SiC MOSFETs. The new reference design provides customers with a highly isolated SiC MOSFET dual-gate driver switch as a means of evaluating SiC MOSFETs in a number of topologies. This includes modes optimized …
به خواندن ادامه دهید
Power MOSFETs and Small-Signal MOSFETs. Power Switch ICs. Reverse Power Feed (RPF) Silicon Carbide (SiC) Devices. Silicon Carbide (SiC) Gate Drivers; Silicon Carbide (SiC) Die; Silicon Carbide (SiC) Discretes; Silicon Carbide (SiC) Modules; Transient Voltage Suppressors. Voltage Supervisors and References. Electromechanical Power Relays
به خواندن ادامه دهید
The reference design was developed for Microsemi SiC MOSFET discrete devices and modules and serves as an engineering tool for the evaluation of its portfolio of SiC devices. The board supports ...
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFET Transistor X-Section • Simulation-based technology development to cut cycles of learning • Flexibility of design variations for special applications
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
MSCSICMDD/REF1. The dual SiC MOSFET driver reference design is an open-source solution that provides user-friendly design guides, enabling faster time-to-market for …
به خواندن ادامه دهید
The silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications. The MSC060SMA070B device is a 700 V, 60 mΩ SiC MOSFET in a TO-247 package. 1.1 Features
به خواندن ادامه دهید
Microsemi and Analog Devices are collaborating on scalable SiC MOSFET driver solutions, starting with a new reference design.
به خواندن ادامه دهید
تکه ای کاربید سیلیسیم که در تولید فولاد استفاده می‌شود. سیلیسیم کاربید حل شده در کوره اکسیژن قلیایی در تولید فولاد ، به عنوان سوخت عمل می‌کند. انرژی اضافی آزاد شده باعث می‌شود که کوره با ...
به خواندن ادامه دهید
Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes, and therefore …
به خواندن ادامه دهید
Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes, and therefore combine the advantages of both devices. These Power Modules feature an extremely low inductance SP6LI package, with a maximum stray inductance of 3nH.
به خواندن ادامه دهید
در نتیجه مدل می‌تواند الگویی که میان نت‌های قبلی و نُت‌های بعدی برقرار است را پیدا کند و موسیقی اصلی را تولید کند. قطعه موسیقی زیر بخشی از موسیقی ساخته شده توسط هوش مصنوعی است: نکته جالب در ...
به خواندن ادامه دهید
A general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power …
به خواندن ادامه دهید
Services. Microsemi Corporation, a wholly owned subsidiary of Microchip Technology Inc. (Nasdaq: MCHP), offers a comprehensive portfolio of semiconductor and system solutions for communications, defense & security, aerospace and industrial markets. Products include high-performance and radiation-hardened analog mixed-signal integrated circuits ...
به خواندن ادامه دهید
Wide gate-source voltage V GSS specification range. For our 3rd-generation SiC MOSFETs, the specification range of the gate-source voltage is -10 to 25 V, which is wider than that of other companies' products, allows a wider margin for the drive voltage and makes gate drive design easier. (Recommended drive voltage: V GS_on = 18 V, V …
به خواندن ادامه دهید
ALISO VIEJO, Calif., May 17, 2017 /PRNewswire/ -- Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC), a leading provider of semiconductor solutions differentiat...
به خواندن ادامه دهید
The slew rate limit is of no concern due to the SiC's wide bandgap and the structure of Microsemi SiC MOSFETs. 2.2 SPICE Model Microsemi is releasing Berkeley SPICE models for all SiC MOSFET devices. These are high-accuracy models representing typical performance. Temperature dependence is well represented in these
به خواندن ادامه دهید
28,000 تومان. این ترانزیستوراز نوع N-Channel MOSFET با ولتاژ قابل تحمل 600 ولت و جریان 3 آمپر در دسترس می باشد.این ترانزیستور یکی از قطعات الکترونیکی است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ...
به خواندن ادامه دهید
The silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications. The MSC040SMA120B4 device is a 1200 V, 40 mΩ SiC MOSFET in a TO-247 4-lead package with a source sense. 1.1 Features
به خواندن ادامه دهید
در رله، این قاب قطعات مختلف را حفاظت می‌کند و آرمیچر یک قسمت متحرک است. یک سیم یا سیم‌پیچ مسی در اطراف یک میله فلزی برق‌دار می‌شود تا یک میدان مغناطیسی ایجاد کند و آرمیچر را حرکت می‌دهد.
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs are coming into prominence in select power switching applications above ½ kV, especially in those that benefit from the high-speed capability of SiC MOSFETs. This …
به خواندن ادامه دهید
میکروگرید پوشیدنی از بدن انسان برای تامین انرژی مورد نیاز برای گجت‌های کوچک استفاده می‌کند. 103 بارگذاری ویدیو
به خواندن ادامه دهید
Microsemi SiC MOSFETs have a minimum threshold voltage of 1.7 V at 25 °C. The typical temperature coefficient of the threshold voltage is –6 mV/°C. Operation at an elevated junction temperature of 175 °C results in a threshold shift to roughly 1.7 V – (175–25) * 6 mV = 0.8 V. This threshold voltage is by
به خواندن ادامه دهید
Microsemi Corporation nnn SiC SBD: Current SiC MOSFET: RDS(on) Sxy S: Silicon Carbide (SiC) x: D = Diode M = MOSFET y: Revision or generation vvv Voltage 070 = …
به خواندن ادامه دهید
The Power of Silicon Carbide Semiconductors: An Option to Improve System Efficiency. Friday, May 25th, 2018. Breakthrough Technology Combines High Performance with Low Losses. Silicon Carbide (SiC) semiconductors are an innovative new option for power electronic designers Read more ». Tags: SiC, SiC MOSFET, SiC Schottky Barrier Diode, …
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation …
به خواندن ادامه دهید
Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes, and therefore combine the advantages of both devices. These …
به خواندن ادامه دهید