- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
جدول 5 میزان تولید محصولات دیرگداز را برای سال های 2001 و 2002 نشان می دهد. سبکدانه های رسی. سبکدانه های رسی محصولات سرامیکی متخلخلی هستند که دارای ساختار متخلخل نامنظم و ریز می باشد.
به خواندن ادامه دهید
تولید سرامیک مزایای بسیاری را به کاربران محصولات خود ارائه می‌دهد. اگرچه قطعات سرامیکی معمولا از نمونه‌های سنتی فلزی، پلاستیکی یا پلیمری گران‌ترند، اما مزایای طولانی مدت آنها مطمئنا از هزینه‌های اولیه‌ی آنها ...
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید چیست؟. فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با ...
به خواندن ادامه دهید
that removes material around the pn-junction. Due to the strong Si-C bonds, conventional chemical-wet etching solutions are inefficient on SiC, so plasma methods are required …
به خواندن ادامه دهید
Abstract. Silicon carbide (SiC) is an emerging material for applications in ultra-precision devices and space optics due to its low thermal expansion characteristics (3.8×10 −6 /℃) and light density (3g/cm³). However, machining and polishing of SiC are challenging because of its hardness and stiffness. Further, the conventional mechanical ...
به خواندن ادامه دهید
این مسئله در تولید کاشی های سرامیکی مهم می باشد. بدنه های سرامیکی با شکل منظم مانند آجرها، بلوک ها، لوله ها و محصولات دیرگداز به طور عمومی در بسته بندی های استاندارد به فروش می رسند.
به خواندن ادامه دهید
قطعات و محصولات سرامیکی; ... شرکت فرآورده های عایق نسوز اصفهان در سال 1372 به عنوان اولین تولید کننده آجرهای عایق نسوز با دمای کاربردی 800 تا 1600 درجه سانتی گراد تاسیس گردید. از همان ابتدا برای ...
به خواندن ادامه دهید
this condition, the dry-etching-resistance time for the EB-baked resist was about four minutes, which was longer than the time for non-baked resist. On the other hand, in the phase of low electron-beam irradiation in the range from 0.15 to 10 mC/ cm2 (Fig. 2c and f), its etching resistance of the EB-baked resist was found to be relatively low,
به خواندن ادامه دهید
برد سرامیک، که با نام‌های متفاوتی همچون صفحه سرامیکی ، برد نسوز، تخته الیاف سرامیک، و یا برد سرامیک فایبر به بازار عرضه می‌گردد، محصولی پر طرفدار است که به دلیل تحمل حرارتی خیره کننده و استحکام بالا، از محبوبیت ...
به خواندن ادامه دهید
Abstract. This paper presents the results of an in-depth study of the plasma-chemical etching (PCE) process of single-crystal silicon carbide (SiC) in SF 6 /O 2 …
به خواندن ادامه دهید
Anodizing etching of α-SiC in HF solution usually forms a porous SiC layer. This porous layer is thermally oxidised following by an oxide etching process. Dopant-type selective etching is also demonstrated with the etching of n-type over p-type SiC in p-n SiC junctions with an etching selectivity of 10 5. Etching of p-type SiC over n-type SiC ...
به خواندن ادامه دهید
تولید و عرضه می‌شود. مهمترین مشخصه شناسایی فیلترهای سرامیکی علاوه بر ابعاد و شکل ظاهری آنها، تعداد سوراخ های در اینچ طولی می‌باشد. این عدد از 10 الی 60 می‌باشد ولی متداول‌ترین و پرمصرف ...
به خواندن ادامه دهید
that removes material around the pn-junction. Due to the strong Si-C bonds, conventional chemical-wet etching solutions are inefficient on SiC, so plasma methods are required to etch SiC. The presented work is based on the use of an RIE reactor with an SF 6/O 2 plasma. Its geometry structure and parameters were optimized.
به خواندن ادامه دهید
با توجه به نحوه طراحی محصولات سرامیکی مساحت سطح، اندازه یا توزیع ذرات، شکل ذرات، چگالی و …. هر کدام تاثیر خاص خود را در تولید سرامیک دارند. پودر اولیه سرامیک باید برای برآوردن اندازه ذرات ...
به خواندن ادامه دهید
Before developing the ALE process to etch SiC, we reviewed the results of dry etching of SiC. Dry etching of SiC is performed using a halogen gas, such as F, Cl, and Br. Among them, in general, fluorine gas is used for plasma dry etching. If Cl or Br is used for SiC dry etching, the process has to be carried out at 60 to 150°C because the by ...
به خواندن ادامه دهید
Due to its inert chemical nature, plasma etching is the most effective technique to pattern SiC. In this paper, dry etching of 4H-SiC substrate in Inductively Coupled Plasma (ICP) has been studied ...
به خواندن ادامه دهید
کامپوزیت های زمینه سرامیکی تنها کامپوزیت هایی هستند که بالای ۹۰۰ درجه سانتیگراد استحکام خود را حفظ می کنند. کامپوزیت های زمینه سرامیکی (CMCs) نوع خاصی از مواد کامپوزیت هستند که در آن هم تقویت ...
به خواندن ادامه دهید
gas and the possible formation of silicon oxide on the surface of the treated surface, which prevents SiC etching [16]. Table 2. The values of the technological parameters of …
به خواندن ادامه دهید
Very limited information has been reported [54] on SiC etching in chlorine-based plas-mas, which has the potential for using non-metallic etch mask materials (e.g. SiO2ƒ and obtaining residue-free etching. SiC etching in fluorine-based high density electron cyclo-tron resonance (ECR) plasma was reported recently [55, 56] with promising results for
به خواندن ادامه دهید
ایران یکی از بزرگترین تولید کنندگان کاشی و سرامیک در جهان می باشد که کارخانه های بزرگی در شهرهای مختلف آن در این صنعت فعالیت می کنند و به دلیل محصولات با کیفیتی که دارند زبانزد مردم دنیا شده است.
به خواندن ادامه دهید
Figures 2(a)-2(b) are the optical micrographs of n-type 4H-SiC surfaces etched by the mixture of KOH+NaOH having 10 wt% of NaOH in KOH (Fig. 2a) and 50wt% of NaOH in KOH (Fig. 2(b) at 500 °C for 30 min duration. From Fig. Figure 1. Optical microscope images of etched n-type 4H-SiC wafers after KOH etching at 500 °C for (a) 30 min (b) 45 min.
به خواندن ادامه دهید
This paper presents the results of an in-depth study of the plasma-chemical etching (PCE) process of single-crystal silicon carbide (SiC) in SF6/O2 inductively …
به خواندن ادامه دهید
SiC via etch processing is typically done in ICP-RIE tools using Ni or ITO mask with SF6/ O2 /Ar gas mixture to achieve higher etch rate. Typically, the SiC via etch process is done in 75 - 100 um SiC thickness. The OES end point detection being used in GaAs and Si technologies improves via yield and increases process capacity. SiC …
به خواندن ادامه دهید
Using magnetically enhanced reactive ion etching and an etch chemistry containing sulfur hexafluoride and argon we have dry etched silicon carbide (SiC) with …
به خواندن ادامه دهید
تولید محصولات سرامیکی در انواع مختلفی از کوره ها و با استفاده از مواد اولیه ی مختلف، انجام می شود. این فرایند ها منجر به تولید محصولات با رنگ، شکل و اندازه ی مختلف می شود. به هر حال، فرایند ...
به خواندن ادامه دهید
from the gas phase. The porous SiC etches slightly faster than the nonporous SiC, which is interpreted simply in terms of the reduced average density of the porous material. I. Introduction The technique of photo-electrochemical (PEC) etching of n-type SiC has been studied extensively. J. S. Shor conducted a series of experiments in the early ...
به خواندن ادامه دهید
Dry Etching of SiC for Advanced Device Applications - Volume 421. Skip to main content Accessibility help We use cookies to distinguish you from other users and …
به خواندن ادامه دهید
از آنجا که تعداد، اندازه، شکل و محل نقص احتمالاً از بخشی به بخش دیگر متفاوت است، قطعات سرامیکی تولید شده از مواد یکسان با روش‌های یکسان اغلب در بارهای اعمال شده بسیار متفاوتی از کار می‌افتند.
به خواندن ادامه دهید
The cross-sectional images of the etched SiC, based on the SF 6 gas ratio of 40%, 60%, and 80%, are illustrated in Fig. 1(b) to show well-defined vertical etch …
به خواندن ادامه دهید
تولید قطعات مورد نیاز صنایع ریخته گری دقیق و سوپر آلیاژها; تولید قطعات مورد نیاز صنایع دفاع; تولید دامنه وسیعی از انواع قطعات سرامیک صنعتی با کاربردهای گوناگون در صنایع کشور
به خواندن ادامه دهید
تولیدکنندگان بسیاری در ایران برای تولید کاشی و سرامیک وجود دارد که برنده‌های معتبری را در بر می‌گیرند. در این مقاله قصد داریم شما را با ده برند برتر کاشی و سرامیک ایرانی آشنا نماییم. کاشی و سرامیک به عنوان مهمترین پوشش ...
به خواندن ادامه دهید
3 تولید محصولات آرایشی و بهداشتی، صنایع دستی زیبایی و درم ابریژن و غیره 4 محصولات سرامیکی 5 چرخ سنگ زنی، کاغذ سنباده و غیره
به خواندن ادامه دهید
ICP NF 3 -based discharges produce smooth pattern transfer in SiC and SiCN at high rates (∼3500 Å/min in both n + and p + SiC, and ∼7500 Å/min in SiCN thin films). The surface morphology of SiC was essentially independent of plasma composition in NF 3 /O 2 discharges, but SiCN was much more sensitive to the atomic fluorine concentration.
به خواندن ادامه دهید
2504 شرکت ثبت شده است. اله وردی و محمد علی فلاح - ساخت سایر محصولات کانی غیر فلزی طبقه بندی نشده در جای دیگر. اکبر احمدی - ساخت انواع رنگ، روغن جلا و پوشش های مشابه، مرکب چاپ و انواع بتونه. اکبر ...
به خواندن ادامه دهید
محصولات سرامیکی به دلیل زیبایی، تنوع محصول در طرح و اندازه، استحکام، کیفیت و قیمت مناسب انتخاب اول بسیاری از مشتریان است. ... با توجه به ظرفیت بالا و تعداد خطوط تولید، این شرکت قادر است به ...
به خواندن ادامه دهید